K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BCRC توسط Samsung Electronics و H5AN8G8NCJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| سازمان | 1G x 8 | x8 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| نرخ داده | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| رابط | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |