K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BCRC מאת Samsung Electronics ו H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| ארגון | 1G x 8 | x8 |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| קצב נתונים | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| מארז | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| ממשק | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |