K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WC-BCRC tarafından Samsung Electronics ve H5AN8G8NCJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategori | DRAM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Organizasyon | 1G x 8 | x8 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| Veri Hızı | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| Paket | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Arayüz | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |