K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و NT5CC256M16CP-DIB1 بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +95C (Tcase) |
| العلبة | 96FBGA (TFBGA) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| الواجهة | DDR4 (synchronous, double data rate) | — |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| حالة RoHS | Compliant (per Lisleapex listing) | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| جهد التغذية | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |