K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور NT5CC256M16CP-DIB1 بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mbps | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +95C (Tcase) |
| پیکیج | 96FBGA (TFBGA) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| انٹرفیس | DDR4 (synchronous, double data rate) | — |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per Lisleapex listing) | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |