K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics và NT5CC256M16CP-DIB1 bằng Nanya Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt độngNanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya
NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| Tổ chức | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 2133 Mbps | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | 0C to +95C (Tcase) |
| Hộp | 96FBGA (TFBGA) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Giao diện | DDR4 (synchronous, double data rate) | — |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per Lisleapex listing) | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |