K4A8G165WB-BCPB vs NT5CC256M16CP-DIB1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और NT5CC256M16CP-DIB1 द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCPB | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 2133 Mbps | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +95C (Tcase) |
| पैकेज | 96FBGA (TFBGA) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (synchronous, double data rate) | — |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Lisleapex listing) | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |