K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG085WM-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4AAG085WM-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ نشط
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $9.95 —
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 16 Gb —
التنظيم 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
جهد التغذية 1.2 V —
العلبة FBGA-78 78-ball FBGA
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
نوع الواجهة Parallel (DDR4) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
معدل البيانات 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
الواجهة — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر