K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4AAG085WM-BCTD bằng Samsung Electronics và K4AAG085WM-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $9,95 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 16 Gb —
Tổ chức 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Hộp FBGA-78 78-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Loại giao diện Parallel (DDR4) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
Tốc độ dữ liệu 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
Giao diện — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá