K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC 比較

詳細並排比較 K4AAG085WM-BCTD 由 Samsung Electronics 與 K4AAG085WM-BCRC 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ 啟用中
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K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
庫存狀態 In Stock —
單價 (USD) $9.95 —
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
記憶體容量 16 Gb —
組織 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
供應電壓 1.2 V —
封裝 FBGA-78 78-ball FBGA
工作溫度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
介面類型 Parallel (DDR4) —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
資料速率 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 等級 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
介面 — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

資料表與資源

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