K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG085WM-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4AAG085WM-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $9.95 —
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
גודל זיכרון 16 Gb —
ארגון 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
מתח אספקה 1.2 V —
מארז FBGA-78 78-ball FBGA
טמפרטורת פעולה 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
סוג ממשק Parallel (DDR4) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
קצב נתונים 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
ממשק — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר