K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG085WM-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4AAG085WM-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $9,95 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Organizasyon 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Paket FBGA-78 78-ball FBGA
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Arayüz Türü Parallel (DDR4) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
Veri Hızı 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
Arayüz — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin