K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG085WM-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4AAG085WM-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCRC
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $9.95 —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb —
संगठन 2G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2666 —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
पैकेज FBGA-78 78-ball FBGA
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
इंटरफ़ेस प्रकार Parallel (DDR4) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Clock Rate 1333 MHz —
डेटा दर 2666 MT/s —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups —
Density Class 16 Gbit monolithic DRAM —
Application Class Industrial / embedded memory —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
इंटरफ़ेस — SSTL12
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

डेटाशीट और संसाधन

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