K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WM-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4AAG165WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | -40C to +95C |
| العلبة | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| الواجهة | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| حالة RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| معدل البيانات | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| نوع الواجهة | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |