K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WM-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| संगठन | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | -40C to +95C |
| पैकेज | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| इंटरफ़ेस | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |