K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG165WM-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WA-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| ארגון | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | -40C to +95C |
| מארז | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| ממשק | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| קצב נתונים | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| סוג ממשק | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |