K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WM-BCTD توسط Samsung Electronics و K4AAG165WA-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| سازمان | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| دمای کاری | 0C to +85C | -40C to +95C |
| بسته‌بندی | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| رابط | SSTL-12 | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| نوع رابط | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |