K4B4G1646 vs K4B4G1646Q مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| الواجهة | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| جهد التغذية | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| العلبة | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| معدل البيانات | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable |