K4B4G1646 vs K4B4G1646Q Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646Q sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| Packhaging | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Tindminan RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Level ng MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| Width ng Data Bus | — | 16 bits |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Latensya ng CAS | — | Programmable |