K4B4G1646 vs K4B4G1646Q 比較
詳細並排比較 K4B4G1646 由 Samsung Electronics 與 K4B4G1646Q 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gbit | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 介面 | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| 供應電壓 | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| 封裝 | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 工作溫度 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS 狀態 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL 等級 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| 資料匯流排寬度 | — | 16 bits |
| 資料速率 | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| 無鹵素 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS 延遲 | — | Programmable |