K4B4G1646 vs K4B4G1646Q তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646Q নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| প্যাকেজ | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bits |
| ডেটা রেট | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS লেটেন্সি | — | Programmable |