K4B4G1646 vs K4B4G1646Q So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646Q bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Giao diện | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Điện áp cung cấp | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| Hộp | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| Bề rộng đường dữ liệu | — | 16 bits |
| Tốc độ dữ liệu | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Latency CAS | — | Programmable |