K4B4G1646 vs K4B4G1646Q השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646Q מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ממשק | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| מתח אספקה | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| מארז | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bits |
| קצב נתונים | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| השהיית CAS | — | Programmable |