K4B4G1646 vs K4B4G1646Q Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646Q tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Arayüz | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Besleme Gerilimi | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| Paket | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bits |
| Veri Hızı | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS Gecikme | — | Programmable |