K4B4G1646 vs K4B4G1646Q مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| رابط | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.35V |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 4Gb |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bits |
| نرخ داده | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| تأخیر CAS | — | Programmable |