K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYH9 بواسطة Samsung Electronics و NT5CC256M16DN-FLNA بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| جهد التغذية | 1.35 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 ~ 85 °C | — |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| نوع الذاكرة | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| الواجهة | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |