K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics اور NT5CC256M16DN-FLNA بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 ~ 85 °C | — |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| میموری ٹائپ | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| انٹرفیس | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |