K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA 比較
詳細並排比較 K4B4G1646D-BYH9 由 Samsung Electronics 與 NT5CC256M16DN-FLNA 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 啟用中
規格比較
| 參數 | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 資料速率 | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| 供應電壓 | 1.35 V | — |
| 工作溫度 | 0 ~ 85 °C | — |
| 封裝 | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS 延遲 | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| 記憶體類型 | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| 工作溫度範圍 | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| 介面 | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |