K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BYH9 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও NT5CC256M16DN-FLNA নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ সক্রিয়Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0 ~ 85 °C | — |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| মেমরি টাইপ | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| ইন্টারফেস | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |