K4B4G1646D-BYH9 vs NT5CC256M16DN-FLNA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYH9 द्वारा Samsung Electronics और NT5CC256M16DN-FLNA द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ सक्रियNanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYH9 | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 ~ 85 °C | — |
| पैकेज | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| मेमोरी प्रकार | — | DDR3L SDRAM |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Burst Length | — | 8 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| इंटरफ़ेस | — | 16-bit I/O |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |