K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics و H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| سعر الوحدة (USD) | $14.32 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| معدل البيانات | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| حالة RoHS | — | Compliant |