K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Obsolete |
| Presyo ng Yunit (USD) | $14.32 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Rate ng Data | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Packhaging | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |