K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBI بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | Obsolete |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $14.32 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| پیکیج | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |