K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5TC4G63AFR-PBI নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | Obsolete |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $14.32 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| প্যাকেজ | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |