K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics và H5TC4G63AFR-PBI bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Obsolete |
| Giá đơn vị (USD) | $14,32 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Hộp | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |