K4B4G1646Q vs K4B4G1646 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| الواجهة | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |