K4B4G1646Q vs K4B4G1646 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646Q sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latensya ng CAS | Programmable | — |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| Tindminan RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Level ng MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |