K4B4G1646Q vs K4B4G1646 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646Q מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| ממשק | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |