K4B4G1646Q vs K4B4G1646 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646Q द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |