K4B4G1646Q vs K4B4G1646 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics و K4B4G1646 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| تأخیر CAS | Programmable | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| رابط | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |