K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics و H5CG48MEBDX014N بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| العلبة | 82FBGA | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| الواجهة | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| نوع الواجهة | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |