K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VB-BIQK توسط Samsung Electronics و H5CG48MEBDX014N توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| بسته‌بندی | 82FBGA | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| رابط | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | Compliant |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| نوع رابط | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |