K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4RAH086VB-BIQK بذریعہ Samsung Electronics اور H5CG48MEBDX014N بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ فعال
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4RAH086VB-BIQK H5CG48MEBDX014N
برانڈ Samsung Electronics SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
تنظیم 2G x 8 2G x 8
ڈیٹا ریٹ 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
پیکیج 82FBGA FBGA-82 (11 x 10 mm)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
انٹرفیس DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
سپلائی وولٹیج — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
انٹرفیس ٹائپ — Parallel, DDR5
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں