K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VB-BIQK tarafından Samsung Electronics ve H5CG48MEBDX014N tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Aktif
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH086VB-BIQK H5CG48MEBDX014N
Marka Samsung Electronics SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
Organizasyon 2G x 8 2G x 8
Veri Hızı 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Paket 82FBGA FBGA-82 (11 x 10 mm)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Arayüz DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Besleme Gerilimi — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Montaj Türü — Surface Mount
Arayüz Türü — Parallel, DDR5
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin