K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4RAH086VB-BIQK dari Samsung Electronics dan H5CG48MEBDX014N dari SK hynix. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Aktif
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4RAH086VB-BIQK H5CG48MEBDX014N
Merek Samsung Electronics SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
Organisasi 2G x 8 2G x 8
Laju Data 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Paket 82FBGA FBGA-82 (11 x 10 mm)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Antarmuka DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
Suhu Kerja [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Latensi CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Level MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tegangan Pemuat — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Tipe Mounting — Surface Mount
Tipe Antarmuka — Parallel, DDR5
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon