K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48MEBDX014N So sánh

So sánh chi tiết song song của K4RAH086VB-BIQK bằng Samsung Electronics và H5CG48MEBDX014N bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Hoạt động
SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4RAH086VB-BIQK H5CG48MEBDX014N
Thương hiệu Samsung Electronics SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
Tổ chức 2G x 8 2G x 8
Tốc độ dữ liệu 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Hộp 82FBGA FBGA-82 (11 x 10 mm)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Giao diện DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Điện áp cung cấp — 1.1 V
Row Address — 12 bits
Column Address — 9 bits
Die Generation — M-die
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Loại giao diện — Parallel, DDR5
Memory Class — Synchronous DRAM
Speed Class — DDR5-4800 (PC5)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá