K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VE-BCWM بواسطة Samsung Electronics و PDRQL8KCBF12-00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $7.60 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| العلبة | 82-ball FBGA | FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| حالة دورة الحياة | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| الواجهة | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |