K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4RAH086VE-BCWM بذریعہ Samsung Electronics اور PDRQL8KCBF12-00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ فعال
Samsung Electronics
PDRQL8KCBF12-00 PDRQL8KCBF12-00 - 16Gb DDR5-7200 DRAM | Samsung

PDRQL8KCBF12-00 - 16Gb DDR5-7200 DRAM | Samsung

PDRQL8KCBF12-00 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4RAH086VE-BCWM PDRQL8KCBF12-00
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $7.60 —
میموری ٹائپ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
تنظیم 2G x 8 2G x 8
ڈیٹا ریٹ 5600 Mbps 7200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
پیکیج 82-ball FBGA FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto-refresh and self-refresh
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
لائف سائیکل کی حالت Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics —
سپلائی وولٹیج — 1.1 V
Burst Length — 16 (BL16), burst chop 8 (BC8)
On-die ECC — Yes
انٹرفیس — Pseudo-differential DQ
Process Technology — 10nm-class
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں