K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH086VE-BCWM द्वारा Samsung Electronics और PDRQL8KCBF12-00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $7.60 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| संगठन | 2G x 8 | 2G x 8 |
| डेटा दर | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| पैकेज | 82-ball FBGA | FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| इंटरफ़ेस | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |