K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VE-BCWM توسط Samsung Electronics و PDRQL8KCBF12-00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $7.60 | — |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| بسته‌بندی | 82-ball FBGA | FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| رابط | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |